供应链人士表示，海力士DRAM产品价格从去年第四季度开始逐月上调，目前已累计上涨约60%-100%不等，下半年涨幅将趋缓。

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　　据报道，SK海力士曾在今年一季度财报电话会议上表示，将在年内推出1bnm 32Gb DDR5内存颗粒。32Gb颗粒意味着消费级的UDIMM和SODIMM可实现64GB单条容量；企业级的RDIMM更是可以在不使用硅通孔工艺3D堆叠的情况下，达到单模组128GB，满足服务器对大内存的需求。

　　本月初的 Compute Express Link 联盟开发者大会期间，SK 海力士曾展示其 CXL 内存解决方案，其为一项统一系统中不同设备（如内存、存储和逻辑芯片）接口的技术。当时，海力士展示了其 CMM-DDD5 CXL 内存模组，与仅配备传统 DDR5 内存的系统相比，带宽提升50%、容量提升100%。

　　5月6日消息，据韩媒The Elec和《首尔经济新闻》报道，SK海力士在5月2日举行的“AI时代，SK海力士蓝图和战略”记者招待会上表示，其HBM4内存的量产时间已提前到2025年。

　　具体来说，SK海力士计划在2025年下半年推出采用12层DRAM堆叠的首批HBM4产品，而16层堆叠HBM稍晚于2026年推出。

　　SK海力士上月同台积电达成HBM基础裸片（Base Die）合作谅解备忘录，当时定于2026年推出HBM4内存。

　　HBM4量产的加速无疑显示了AI领域巨头对高性能内存的强劲需求，日益强大的AI处理器需要更高内存带宽的辅助。

　　The Elec预计，SK海力士将在HBM4内存中采用1cnm制程的新一代DRAM内存芯片尊龙凯时app，目前的HBM3E产品基于1bnm；而在基础裸片部分，未来产品有望使用台积电7nm系工艺。

　　SK海力士在记者会上还表示目前基于MR-MUF键合的12层堆叠HBM3E内存将于本月出样三季度量产，未来16层堆叠产品也将采用MR-RUF。